| Lugar de origem: | Pequim, China (continente) |
| Marca: | HONKON |
| Certificação: | CE |
| Número do modelo: | S3 IPL |
| Quantidade de ordem mínima: | 1 Set / Sets |
|---|---|
| Detalhes da embalagem: | Caixa ou caixa de alumínio |
| Tempo de entrega: | 70-10 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T. |
| Habilidade da fonte: | 50 conjuntos por mês |
| vantagens: | Segurança, econômica | Certificação: | CE |
|---|---|---|---|
| refrigerar: | Água, ar, poder refrigerando do semicondutor | nome: | 12 em 1 equipamento Multifunction da beleza |
| Modo de trabalho do RF: | /Pulse contínuo | Pontas: | Monopolar, bipolar |
| Destacar: | máquina de beleza multifunções |
||
12 em 1 equipamento Multifunction da beleza
Equipamento Multifunction HONKON-S3 IPL da beleza
S3 IPL (Super+Standard+Stable)
HONKON começou aplicar a tecnologia semicondutor-refrigerando ao IPL desde 2002, que evita complicações da clínica tais como a pele escalda e a pigmentação causada na aplicação do IPL aos dias de Fitzpatrick III-VI.Now, HONKON fez uma descoberta nova na tecnologia do IPL. É o primeiro para usar HPT (tecnologia homogênea do pulso), que realiza que cada energia de pulso permanece estável e regular, garante que a saída da densidade de energia é consistente com essa exposição no LCD, e assegura a segurança e eficaz do tratamento. Esta é uma outra inovação tremenda da tecnologia do IPL.
HONKON-VANTAGENS DE S3:
1. Segurança: Cada pulso individual de HPT IPL entrega a energia homogênea, evitando a queimadura da epiderme.
2. Eficaz: Poder homogêneo do HPT sobre as durações longas forconsistent, resultados reprodutíveis do pulso.
3. Confortável: A pulsação Múltiplo-Seqüencial permite refrigerando entre pulsos, e o sistema de refrigeração super do contato da safira assegura o conforto paciente.
4. Econômico: Tratamento óptimo por HPT IPL, mais eficácia e menos custo.
HONKON- ESPECIFICAÇÃO DE S3
| Punho do tratamento |
Punho do tratamento de F+E |
| Tamanho de ponto |
60*15mm 8*40mm |
| Comprimento de onda |
Hora 610-1200nm, SR530-1200nm, VR585-1200nm |
| Densidade de energia |
² de 20-50J/cm |
|
Freqüência do RF |
2.6MHZ |
|
Modo de trabalho do RF |
/Pulse contínuo |
|
Poder do RF |
≤50w |
| Tempo do RF |
0.1-20S |
| Atraso do RF |
0.1-20S |
| Temperatura refrigerando |
-2℃ -0℃ |
| Intervalo do tiro | 1-5s |
| Refrigerar | Água, ar, poder refrigerando do semicondutor |
| Fonte |
C.A. 220V 50Hz 10A |
| Número do pulso | 1-5 |
| Atraso | ≤120ms |
| Secundário-Pulso 1st-Pulse/ | 0.1-20ms |
| Secundário-Atraso 1st-Delay/ | 0.1-25ms |
| Derruba |
Mono-polar: 25mm, 45mm |
| Pulso |
≤50ms |
![]()
Pessoa de Contato: Mr. li
Telefone: 66668888